ISL9K3060G3 — STEALTH? Dual Diode
Package Marking and Ordering Information
Electrical Characteristics (per leg)
TC
= 25
°C unless otherwise noted
Off State Characteristics
On State Characteristics
Dynamic Characteristics
Switching Characteristics
Thermal Characteristics
Device Marking
Device
Package
Tape Width
Quantity
K3060G3
ISL9K3060G3
TO-247-3L
N/A
30
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min Typ Max Units
IR
Instantaneous Reverse Current
VR
= 600
V
TC
= 25
°C - - 100
μA
TC
= 125
°C--1.0mA
VF
Instantaneous Forward Voltage
IF = 30
A
TC
= 25
°C-2.12.4V
TC
= 125
°C-1.72.1V
CJ
Junction Capacitance
VR = 10
V,
I
F
= 0
A
- 120 - pF
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 1A
,
dI
/dt
=
100
A/μR
= 30
V
- 27 35 ns
s,
V
IF
= 30
A,
dI
/dt
=
100
A/μR
= 30
V
- 36 45 ns
s,
V
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 30
A,
-36-ns
urrentdIF/dt
= 200
A/μ- 2.9 - A
s,
VR
= 390
V,
T
C
= 25°C
- 55 - nC
Reverse Recovery
C
Qrr
Reverse Recovered Charge
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 30
A,
- 110 - ns
)-dIF/dt
= 200
A/μ1.9-s,
C
urrent
VR
= 390
V,
Reverse Recovered Charge
TC
= 125
°C
- 6 - A
- 450 - nC
S Softness Factor (tb/ta
Irr
Reverse Recovery
Qrr
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 30
A,
dIF/dt
= 1000
A/μ- 1.25 -
s,
VR
= 390
V,
TC
= 125°C
- 21 - A
730 - nC
-60-ns
S Softness Factor (tb/ta)
Irr
Reverse Recovery
C
urrent
Qrr
Reverse Recovered Charge
dIM/dt Maximum di/dt during tb
- 800 - A/μs
RθJC
Thermal Resistance Junction to Case
- - 1.0
°C/W
RθJA
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-247
- - 30
°C/W
Irr
?2001
Fairchild
Semiconductor Corporation
ISL9K3060G3
Rev.
C1
www.fairchildsemi.com
2
Packing Methode
Tube
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